应用材料公司在芯片布线领域取得重大突破 将逻辑小型化

七项技术在真空条件下集成为一个系统，互连电阻减半

新材料工程解决方案提高了芯片性能并降低了功耗

最新的系统强调了应用材料公司的战略，即成为一家面向客户的采购支持公司

2021年6月16日，加州圣克拉拉——应用材料公司推出全新先进的逻辑芯片布线技术，可缩放至3 nm及以下。

应用材料公司新推出的Endura铜质阻隔籽晶IMS解决方案在高真空条件下将七种不同的技术集成到一个系统中，从而提高了芯片性能和功耗。点击链接查看流程步骤动画演示：https://v.qq.com/x/page/j3253ybbidn.html

虽然减小晶体管尺寸可以提高其性能，但对互连线的影响却相反：互连线越细，电阻越大，导致性能下降，功耗增加。从7 nm的节点到3 nm的节点，如果没有材料工程技术的突破，互连过孔的电阻会增加10倍，抵消了晶体管缩小的优势。

应用材料公司开发了一种新的材料工程解决方案，名为Endura铜屏障种子IMS。这种集成材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、化学气相沉积、铜回流、表面处理、界面工程和计量等七种不同技术集成到一个系统中。其中，ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积，省略了过孔界面处原有的高阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术，可以在狭窄的间隙中实现无空隙的间隙填充。通过这种解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得到改善，并且逻辑缩放可以持续到3纳米及以下的节点。

应用材料公司高级副总裁兼半导体产品事业部总经理佩拉布？6?7 Raja说：“每个智能手机芯片中有数十亿个铜互连，仅布线的功耗就占整个芯片的三分之一。在真空下集成多项技术，使我们能够重新设计材料和结构，让消费者拥有更强大、电池寿命更长的设备。这种独特的集成解决方案旨在帮助客户提高性能、功耗和面积成本。”

Endura铜屏障种子IMS系统已被世界领先的逻辑节点代工厂生产的客户使用。在美国时间6月16日举行的2021年应用材料公司逻辑硕士班上，已经讨论了关于该系统和其他逻辑微型创新的更多信息。