英飞凌推出了全新的650伏酷思奇混合IGBT分立器件系列 以

近日，英飞凌科技有限公司(FSE: IFX/OTC QX: IFNNY)推出650 V CoolSiC混合IGBT单管产品组合，阻断电压650 V。全新的CoolSiC Hybrid产品系列结合了650v沟槽截止5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优势，具有出色的开关速度和较低的开关损耗，特别适用于DC-DC功率变换器和PFC电路。其常见应用包括电动汽车充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统以及服务器和电信的开关电源(SMPS)。

由于续流碳化硅肖特基二极管和IGBT封装在一起，在dv/dt和di/dt几乎不变的情况下，酷碳化硅混合IGBT可以大大降低开关损耗。与标准硅二极管解决方案相比，新产品可将Eon降低高达60%，Eoff降低30%。或者，在输出功率保持不变情况下，开关频率可以增加至少40%。更高的开关频率有助于减小无源元件的尺寸，从而降低材料成本。混合IGBT可以直接取代挖沟机5 IGBT，每10千赫开关频率可以提高0.1%的效率，而无需重新设计。

该产品系列可作为纯硅解决方案和高性能碳化硅场效应晶体管设计之间的替代产品。与纯硅设计相比，混合IGBT可以提高电磁兼容性和系统可靠性。由于SiC肖特基二极管可以快速转换电流，不存在振荡和寄生导通的严重风险。该系列提供带TO-247-3或TO-247-4引脚的开尔文发射器封装，供客户选择。开尔文发射极封装的第四引脚可以实现超低电感的栅极驱动控制环，降低总开关损耗。

目前，深圳市科士达科技有限公司已成功将650 V CoolSiC混合IGBT单管引入其UPS和串联光伏逆变器的新平台设计中，从而提高了系统效率，优化了系统性能。

深圳市科斯达科技有限公司董事长刘成渝表示：“科斯达将与英飞凌有着悠久的战略合作历史，继续在不间断电源、太阳能领域提供高可靠性的前沿技术产品。今后我们将继续合作，在深度基础上开展更广泛的合作与发展。”

英飞凌科技副总裁、工业电源控制事业部大中华区负责人余代辉表示：“我们的创新来自技术进步和客户需求。从模块到单管引入混合IGBT技术，满足客户对系统节能的追求，满足系统设计的灵活性，从而提高客户的竞争力。”

可用性情况

酷碳化硅混合IGBT系列延续了之前推出的使用IGBT和酷碳化硅肖特基二极管的酷碳化硅混合IGBT易装1B和2B模块的成功经验。该离散产品组合现已开放订购。系列包括40A、50A和75A 650V TRUNTSTOP 5超高速H5 IGBT封装半额定CoolSiC第六代二极管，或中速S5 IGBT封装全额定CoolSiC第六代二极管。