毛泽库存Qorvo QPD0011氮化镓基碳化硅HEMT支持4G和5G通信应用

2021-08-24 17:21 来源：电子说

2021年8月23日——专注于推出新产品和提供海量库存的电子元器件分销商Mouser Electronics从即日起开始备货Qorvo QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)晶体管性能优异，可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。

毛泽电子库存的Qorvo QPD0011是非对称双放大器，采用7.0 mm6.5 mm小型DFN封装。QPD0011的可变输入功率为30 W至60 W，漏极电压为48 V，工作电压为3.3 GHz至0.6 GHz，增益最高可达13.3 dB，在多赫蒂设计环境下可实现最高90 W的超高效信号峰值功率。

为了便于开发，Mouser还提供了一个匹配的QPD0011EVB1评估板。该平台包括一个示例应用电路，当与现有设计结合使用时，可以加快原型设计。QPD0011适用于宏蜂窝小区和微小区基站、有源天线和非对称多赫蒂设计。

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