意法半导体推出新的45W和150W MasterGaN产品 用于节能

中国，2021年8月27日，——为了促进向高能效宽带隙半导体技术的过渡，意法半导体发布了两个集成电源系统封装，MasterGaN3*和MasterGaN5，分别针对高达45W和150W的功率转换应用。

意法半导体的MasterGaN概念简化了GaN宽带隙功率技术的开发，取代了普通的硅基MOSFET。新产品集成了两个650伏功率晶体管和一个优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计的挑战。由于GaN晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成电源系统封装相比硅基设计可以将电源尺寸减小80%，具有很高的鲁棒性和可靠性。

MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值(Rds(on))不相等，分别为225和450，适用于软开关和有源整流变换器。在MasterGaN5中，两个晶体管的导通电阻值(Rds(on))均为450 m，适合LLC谐振和有源箝位反激式转换器等拓扑。

与MasterGaN产品系列的其他成员一样，这两款器件的输入兼容3.3V至15V逻辑信号，从而简化了产品本身与主控制器(如DSP处理器、FPGA或微控制器)以及外部设备(如霍尔传感器)之间的连接。新产品还集成了安全保护功能，包括高低压侧欠压闭锁(UVLO)、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚。

每款MasterGaN产品都有专门的原型开发板，帮助设计师快速启动新的电源项目。EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5开发板均包含单端或互补驱动信号发生器电路。板载可调死区发生器和相关设备接口，方便用户使用不同的输入信号或PWM信号，连接外部自举二极管以改善容性负载，并为峰值流拓扑插入低边界电流电阻。

MasterGaN3和MasterGaN5现已量产，采用9mm x 9mm GQFN封装，针对高压应用进行了优化。高低压焊盘之间的爬电距离为2mm。