Nexperia将于2021年9月21 -23日举办“电力直播”

参与汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极晶体管的现场讨论；直接观看Nexperia实验室的视频演示

Nijmegen，2021年8月30日：基础半导体器件领域专家Nexperia今日宣布，将于9月21日至23日举办‘Power Live’，这是其第二次举办这一年度虚拟大会。鉴于去年首次活动的成功，为期三天的活动将扩大到涵盖许多与电力电子元件相关的主题，包括汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极晶体管。

　　会议重点将包括：

　　 MOSFET全电热模型

Nexperia全新MOSFET电热模型的详细预览，可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性，降低设计过程后期发现EMC问题的风险。

　　650V CCPAK贴片封装氮化镓器件评估

业界领先的CCPAK封装GaN器件评估板即将上市，使用双脉冲测试可以轻松评估其特性和优势。

　　功率MOSFET在工业应用中的设计

无论出于什么原因或什么时间需要500 A MOSFET，它都需要能够优化关键特性并管理浪涌电流和热SOA曲线。

　　肖特基整流器、锗化硅整流器或恢复（PN）整流器？

如何通过选择最合适的功率二极管，在LED驱动器或电磁阀驱动器等汽车应用中实现出色的效率和可靠性。

整个议程将包括现场演示，邀请工程师讨论当今使用电源设备设计时面临的最大挑战，并展示重要的Nexperia合作伙伴的案例研究和贡献。活动期间，与会者还可直接观看Nexperia公司全球实验室资深电力专家带来的最新技术演示。

活动“Power Live”将于9月23日(周四)结束，与Nexperia和行业专家的GaN小组讨论将是最后一场活动。这将是一个讨论想法和对技术和市场的影响的公开论坛，非常欢迎参与者的贡献。

Nexperia全球营销主管Robby Ferdinandus在《Power Live》上评论道：“去年我们举办第一场活动时，获得了很好的反馈。700多名工程师注册参加，很多人表示可以在现场会议中与志同道合的伙伴交流，共同探讨设计挑战。这个经验非常宝贵。”

完整的活动时间表现已公布。您可以使用注册页面上的表格提交关于GaN小组讨论的问题。请点击这里免费注册。