三星有望赶超TSMC高通将优先保证高端SoC芯片的供应

2021-03-15 14:54 来源：电子说

三星有望超车台积电

3月15日，三星在IEEEISSCC国际固态电路大会上首次展示了3mm容量的256Mb(32MB) SRAM存储芯片。并且使用MBCFET技术，写入电压仅为0.23V，这对于三星实现新技术的量产来说是一个很大的进步。

三星的3nm工艺采用GAAFET(环绕栅场效应晶体管)技术。与上一代7LPPFinFET工艺相比，晶体管密度可提高80%，性能可提高30%，或功耗可降低50%。据报道，TSMC也在开发3纳米技术，但不幸的是，新技术仍将采用鳍式场效应晶体管三维晶体管技术。与5纳米技术相比，晶体管密度将增加70%，性能将提高11%，或者功耗将降低27%。

从以上参数看，三星似乎有望在弯道超车。然而，三星没有宣布3纳米的订单，而TSMC基本上确认了客户将包括苹果、AMD、英伟达、联发科、Xilinx、博通和高通。

三星这次能否完全超越TSMC还有待观察。

高通将优先保证高端SoC芯片供应

据路透社报道，全球芯片产能短缺进一步扩大，高通对三星的供应受到影响。报道称，这次不仅影响了低端芯片，也限制了高通向三星GalaxyS21系列手机供应Snapdragon 888SoC的能力。目前高通产能受影响程度未知，高通仍有信心实现第二季度目标。

高通表示，“优先保证高端SoC芯片的供应，而不是低成本的入门级芯片。”某知名手机厂商告诉路透社，高通芯片供不应求，只能削减智能手机产能。

小米卢魏兵也表示，智能手机芯片目前供不应求。即将就职高通的首席执行官克里斯蒂亚诺蒙(CEOCristianoAmon)表示，目前芯片短缺的部分原因是美国对华为的限制，导致手机制造商(如荣耀)不得不从其他公司选择芯片。

负责编辑：法律援助会

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