武汉新芯 50nm 高性能 SPI NOR Flash 产品全线量产

近日，武汉新芯宣布其采用50nmFloatingGate工艺SPINORFlash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC系列产品在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（executeinplace）操作。

XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封装，在中高容量产品也将针对可穿戴设备等尺寸受限的应用推出WLCSP封装，协助客户将空间利用发挥到极致。全线产品支持KnownGoodDie(KGD)解决方案，并为客户提供RDL服务，满足客户定制化的SiP需求。

“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nmFloatingGate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，“针对快速发展的IoT和5G市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。”

电子发烧友网此前报道过，武汉新芯是一家存储IDM企业，包括晶圆代工与自有品牌两部分业务，公司专注于NORFlash与晶圆级XtackingTM技术。2019年武汉新芯在消费电子、通信、笔记本电脑、TWS耳机、智慧电网等市场均取得了不错的成绩，笔记本电脑市场占有15%的市场份额，在国内安防市场NORFlash占据3成市场份额。

武汉新芯自有品牌产品市场销售负责人马珮玲女士此前在接受电子发烧友网采访的时候谈到，目前笔记本用NORFlash将由128M在明年转入256M的容量需求。在智慧电网市场也会用到128M和256M的NORFlash。

另外5G基站对NORFlash的需求容量达512M，一个5G基站用到四颗NORFlash，武汉新芯正在加速研发，有望为国内5G基站客户批量供货。